肖特基二極管以其發(fā)明者肖特基博士( Schottky )為名，是近年來(lái)產(chǎn)生的低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。它的反向恢復(fù)時(shí)間非常短(可以小到幾納秒)，正向?qū)妷簝H降低0.4V，而整流電流可以達(dá)到幾千安培?？捎米鏖_(kāi)關(guān)二極管和低壓大電流整流二極管。這些優(yōu)異的特性是快速恢復(fù)二極管無(wú)法比擬的。

完全稱(chēng)呼可以將肖特基勢(shì)壘二極管( Schottky Barrier Diode )簡(jiǎn)稱(chēng)為SBD，肖特基勢(shì)壘二極管( Schottky Barrier Diode )簡(jiǎn)稱(chēng)為SR。

肖特基二極管的主要參數(shù):正向電流(A)、反向耐受電壓(V)、峰值瞬態(tài)浪涌電流(A)、測(cè)試電流(A)、正向壓降(V)、反向泄漏電流(UA)

　　肖特基二極管的優(yōu)點(diǎn)：
1.肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度，因此其正向?qū)╩osfet和正向壓降低于PN結(jié)二極管(約低0.2V)

2.肖特基是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問(wèn)題。肖特基的反向恢復(fù)時(shí)間只是肖特基勢(shì)壘電容的充放電時(shí)間，與PN結(jié)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間完全不同。由于肖特基反向恢復(fù)電荷非常少，開(kāi)關(guān)速度非?？?，開(kāi)關(guān)損耗非常小，特別適合高頻應(yīng)用。

肖特基二極管的缺點(diǎn):反向偏置電壓低，反向漏電流大。例如，由硅和金屬制成的肖特基二極管，其反向偏置電壓高達(dá)50V，而反向漏電流具有正溫度特性，容易隨溫度升高而迅速增加。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，應(yīng)注意熱失控的隱患。為了避免上述問(wèn)題，肖特基二極管在實(shí)際使用中的反向偏置電壓遠(yuǎn)小于其額定值。然而肖特基二極管的技術(shù)也有所改進(jìn)，其反向偏置電壓可以高達(dá)200伏

　　分辨肖特基二極管的好壞：
1 .外觀:印字，目前肖特基二極管均為激光印字，具有無(wú)毒、環(huán)保、字體清晰、不磨損的特點(diǎn)。建議油印翻新的概率高，有毒，不環(huán)保，不使用。

2.腳位：標(biāo)準(zhǔn)器件腳長(zhǎng)，都是有一定標(biāo)準(zhǔn)的。如果腳偏短，有可能是二次打磨，建議不要用。

3 .鍍錫:目前肖特基二極管分為兩類(lèi):亮腳(國(guó)產(chǎn)多)和粉腳(國(guó)外多)分別占優(yōu)勢(shì)。亮腳上的錫速度快，儲(chǔ)存時(shí)間長(zhǎng)。粉腳上的錫也很快，但容易氧化。如果在外觀上發(fā)現(xiàn)氧化，則不建議使用。