在一個(gè)本征半導(dǎo)體中，自由電子相對較少，無論是硅還是鍺，rb521s30t1g在其本征態(tài)中幾乎沒有用處。純半導(dǎo)體材料既不是絕緣體，也不是良導(dǎo)體，因?yàn)椴牧现械碾娏髦苯尤Q于自由電子的數(shù)量。

絕緣子、半導(dǎo)體和導(dǎo)體的能帶重疊說明了它們之間的電導(dǎo)率的本質(zhì)差異。絕緣體的能隙是如此之寬，以至于任何電子都難以獲得足夠的能量來跳躍人體的鉛。

導(dǎo)體中的價(jià)帶和導(dǎo)帶重疊,因此即使沒有額外的能量,也總有很多導(dǎo)電電子。a半導(dǎo)體，如圖16.8(b)所示，其間隙比絕緣體間隙窄得多。

n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體

半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性不好，在其本征狀態(tài)，應(yīng)用價(jià)值很小。

這是因?yàn)閭鲗?dǎo)帶中只有有限的自由電子和價(jià)帶中有限的空穴。

通過增加自由電子和空穴的數(shù)量來提高本征硅（或鍺）晶體的導(dǎo)電性，以發(fā)揮其在電子器件中的作用。在本節(jié)中，了解到這一改進(jìn)是通過在固有材料中添加雜質(zhì)來完成的。

兩種非本征（非純凈）半導(dǎo)體材料（N型和P型）是所有類型的電子器件的關(guān)鍵組成部件。